晶圆是半导体芯片制造的基本材料,而硅是半导体的主要原料。晶圆的制造过程可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长和晶圆成型。具体步骤如下:
1、硅提炼及提纯:将沙石原料放入电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应,得到纯度约为98%的冶金级硅。由于半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此需要对冶金级硅进行进一步提纯。将冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。
2、单晶硅生长:将电子级硅放入石英坩埚中,在高温下进行熔化。然后将熔化的硅缓慢降温,使其结晶,生长成长约2米长的单晶硅棒。这个过程叫做Czochralski生长法,它是一种基于热力学的生长方法,它的优点是生长的单晶硅质量高,缺陷少。
3、晶圆成型:将单晶硅棒用金刚石切割机切成薄片,形成圆形的晶圆。在晶圆的表面涂上光刻胶,然后通过光刻技术将芯片的图形图案转移到光刻胶上。接着,通过化学或物理的方式,将胶层中未被照射的部分去除,留下芯片所需的图形。最后,通过离子注入等方式,在芯片表面形成晶体管等元器件。
晶圆的大小通常用英寸或毫米表示,如8英寸、12英寸或300mm、450mm。晶圆大小的增加可以提高生产效率和降低成本,但同时也带来了一些挑战,如晶格结构缺陷、晶圆重量增加和边缘处翘曲等问题。晶圆的尺寸和可制作的芯片数量是有关系的,取决于芯片的大小和工艺。一般来说,芯片越小,数量越多,芯片越大,数量越少。
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